Prečo je okolo 1.2V pre bandgap design?

[PatrickLee]

Som nový bandgap design.
Všimol som si, že veľa bandgap návrhu regulovať okolo 1.2V.

Čo určuje táto hodnota?

Je teplotná kompenzácia prácu najlepšie v tomto napätia bod za najlepšie zrušenie pozitívny a negatívny teplotný koeficient?

Ako simulovať najlepšie kompenzovaný bod SPICE?Do teploty zametať?

 

[alok_ky]

1.2V pre bandgap dizajn je daná tým, bandgap napätie kremíka a nulovej teplotný koeficient kritérium.

 

[zenisle]

často dizajn 1.24V pre bandgap.

 

[nuiscet]

Veľmi dobré pre vaše pozorujem to.
Vlastne 1.2V je určená bandgap pracovný princíp.Zámerom návrhu bandgap napätie / prúd je získať napätie / prúd, bez závislosť na temperature.We vie, že napätie medzi diódu VBE je záporný teplotný závislosť.tak zvyčajne používame iné napätie / prúd s kladnou teplotnú závislosť na získanie napätie / prúd bez závislosti na teplote.Ale VBE previazané na 1.205v na kelvin stupeň nula.takže napätie bez teplotná závislosť je len okolo 1,2.

 

[PatrickLee]

Dobrý deň, Nuiscet,

Takže to znamená, že základné napätie: 1.205V (ako bolo uvedené v 0K) nemožno zmeniť?
1.205V je nezávislá od procesu oblátky zlieváreň?Jasný?

Takže bandgap dizajn je dosiahnuť napätie 1.205V.

Takže čo je projektová kritériá pri "design frázy".
Čo je potrebné hľadať v priebehu simulácie SPICE pre danú sadu hodnotu R1, R2, R3, AE1, AE2 (parametre, ako je opísané v Allen a Holberg)?
Mali by sme zmeniť hodnoty a teplota sa zametať sa dostať optimálny výsledok?

 

[nuiscet]

Myslím, že 1.205V je nezávislá od procesu oblátky zlievárne.Ale vlastne nemôžeme dostať presné 1.205V VBE, pretože to nie je lineárny s teplotou mení, Vptat je takmer lineárna.Takže suma VBE a Vptat nie je presná hodnota.VBE = KT / q * Pyštek / Is, Ic a je oba mení pri zmene teploty.Takže aktuálnej produkcie je len okolo 1,2.

 

[pi331133]

Myslím, že 1,2 V je starý pojem originálny dizajn bandgap odkazom na skutočnosť, v súčasnej CMOS procese, použitie parazitických PN prechod a súčasný režim obvodov, je teplota independt odkaz nie je obmedzená na 1.2V

Pozdravy,Added po 2 minútach:Existuje kniha zameriava na bandgap referenčného dizajnu s názvom "Voltage Referencie od diódy na vysokej Precision Objednať bandgap Circuits" IEEE Press.Tiež veľa prác sú zverejnené na bandgap dizajn, to je veľký tému.Vďaka.

 

[Robert Qi]

Navrhol som bandgap CKT s 0.18um tech TSMC a dosiahol referenčné napätie 1.26V.Bandgap dostane jeho 'koeficient nula teplota okolo 40 stupňov.Obvod bol použitý v našich výrobkov CIS (CMOS Image Sensor) a pracuje dobre.
Len pre váš odkaz.

 

[sharas]

nuiscet Napísal:

Veľmi dobré pre vaše pozorujem to.

Vlastne 1.2V je určená bandgap pracovný princíp.
Zámerom návrhu bandgap napätie / prúd je získať napätie / prúd, bez závislosť na temperature.We vie, že napätie medzi diódu VBE je záporný teplotný závislosť.
tak zvyčajne používame iné napätie / prúd s kladnou teplotnú závislosť na získanie napätie / prúd bez závislosti na teplote.
Ale VBE previazané na 1.205v na kelvin stupeň nula.
takže napätie bez teplotná závislosť je len okolo 1,2.

 

[| IAngel |]

Nie, je VBE dominuje dióda je tvorený v križovatke.Tento križovatiek má CTAT správania a takmer lineárna závislosť okolo-2mV / ° C.Hoci KT / q je stále faktorom, je malá v porovnaní s ostatnými dependancies teplota zariadenia.