CMOS PA definíciu triedy

Z

zhaofeng1983

Guest
Môže MOS tranzistorov na neobjektívne V. nazvať režim triedy B? Vlastne tranzistor zaujatý na prahu ešte má nejaké určité aktuálne. Ďalší problém: V. by mali byť získané z modelu dokumentov alebo DC prevádzkové bodov? Ďakujem.
 
ABC triedy boli definované v čase ventilov / trubiek a vzťahujú sa na tom, aká veľká časť sínusoida cyklu zariadenia odoberá prúd. Všetko o 360 stupňov, je B 180 stupňov, a C je menšia ako 180 stupňov. Neskôr sa AB bola klasifikovaná ako medzi 180 a 360. AB1 bolo, keď nebol sieti prúd a AB2 bolo, keď tam bol siete prúd. Ak sú tieto použiť na obvody tranzistora je len priblíženie.
 
Ventilov bol Grid Control zvyčajne skreslené negatívne vzhľadom ku katóde. Dokonca aj vtedy anódový prúd tiekol. Signál hojdačka bola pridaná do zaujatosť. Ak celková bol pozitívny niektoré elektróny z katódy by byť priťahované k sieti a toku na vonkajšej okruh.
 
Ďakujem vám, nadúvanie. Poznáš nejaké ďalšie fórum so zameraním na konštrukciu CMOS RF? Mnoho phenomina ma zmiatla v dizajne CMOS PA.
 
Pri prechode na tranzistorov celý rad nových problémov, existuje. Jeden problém s BJT zosilňovačov je, že majú obmedzené možnosti riadiť požiadavky na výkon a obmedzenia. V prvých dňoch BJT zosilňovačov RF tranzistorov nemohol vydržať triedy C podmienok a každý z nich skutočne prevádzkovaných v triede A do B a podmienky by boli poškodené triedy C podmienkami. Ostatní členovia rady EDA si všimli, že modernejšie BJT tranzistorov bude pracovať v triede C bez poškodenia. MOS tranzistorov môžu pracovať v triede C podmienkach. Prezrite si listy pre podrobnosti. Ventil triedy C zariadenia mohli pracovať s účinnosťou 80%, zatiaľ čo tranzistorov nemôže spĺňať tieto podmienky, pokiaľ prevádzkovať v podmienkach triedy E. E Trieda pracuje iba s konštantným formáty obálkou modulácie, ktoré sú zriedka použité dnes. GMSK bol posledný konštantnou obálkou modulácie používaného formátu. OFDM je modernejší formát, ktorý vyžaduje viac lineárnych podmienkach.
 
Nafukovacie, najskôr by som chcel poďakovať za vašu rýchlu odpoveď. PA som pracoval na je integrovaný s ostatnými časťami, ako je PLL a prijímač, na jednom čipe. A práca je založená na procese 0.25um CMOS. Metóda modulácie je FSK. PA by mal priniesť malý výkon, o 8dBm, k anténe. Výkon by mal byť ovládaný pomocou 3-dB kroku.
 
Vďaka tejto pomerne nízkej úrovni výkonu akéhokoľvek zosilňovače triedy bude fungovať, ak máte neobvykle prísne požiadavky na životnosť batérie. S menej než 10 mW výkonu i 30% triedy zosilňovača bude čerpať menej ako 30 MW výkonu DC z batérie.
 
Vlastne CMOS PA v režime, je ťažké dosiahnuť účinnosť 30%. Väčšina z nich môže dosiahnuť 20%. Tak som sa, aby koncový stupeň v režime AB a pre-zosilňovač širokopásmový fáze. Problém: Zadaná frekvencia je 433MHz, ale na sýtič 33nH induktora s najlepším mathcing (získané zo simulácie loadpull), stačí poskytnúť dostatok energie. Zmeny výkon trochu so zvýšenou hodnotou dusiť. Máte nejaké vysvetlenie pre to phenominon?
 
V CMOS prevedení PA jeden trik, ktorý by mohol urobiť, je použiť viacstupňové siete výstup L, zníženie a zvýšenie vloženého útlmu nepriamo účinnosti. Viacstupňové L stretnutia môžu mať nižšiu vložný útlm v prípade, že reaktívne zložka alebo zložky s nízkym Q, a to aj napriek tomu, že impedancia transformačný pomer nie je vysoká. Naložené Q každej etapy by mala byť rovnaká. Dobrý simulácie by sa malo uskutočniť nájsť optimálny počet stupňov.
 
Dalo by sa používať len NFET a ísť triedy E, ak váš signál má konštantné obálku.
 
Ale musím kontrolovať výkon o 3dB na setp. To znamená, že trieda E potrebuje DC-DC menič pre riadenie výkonu. Môžem použiť triedu C, aby si to uvedomiť?
 
Trieda C bude mať rovnaký problém. Môžete Druhou možnosťou je použitie lineárne triedy a rôzne jednotky.
 
Zistil som, že dve metódy pre riadenie napájania: mení výstupné stupne veľkosti, rôzne predzosilňovača vodiča úroveň. Ktorý z nich je lepší?
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top