TSMC 0.35um ESD veľkosť?

[whitewiz]

Pre Power-rail ESD svorky obvodu (zo strany R, Moscap, PMOS, NMOS) pre návrh LNA, nemôžem nájsť papier o veľkosti. Ja som tak premýšľal, veľkosť svorky obvodu (TSMC 0.35um proces). Ďakujem Chris

 

[seanyang]

RC rozhodol čas, kedy chcete, aby dodržiavali napätie. A posledná NMOS by mal byť veľmi veľký pre napätie, ktoré chcete prepustenie. Môžete sa rozhodnúť, veľkosť simulácie.

 

[hung_wai_ming@hotmail.com]

Ahoj whitewiz Vyzerá to nie je úplne rozumieť ESD spúšťanie pomocou tohto prístupu. Aby mohla byť bezpečnejšie, odporúčam vám nahradiť posledný tranzistor NMOS tranzistor s bránou pripojení k Vb, ktorý je potom typické RC brány spojené štruktúry, aby ste sa bližšie zoznámiť so základmi prvý. V opačnom prípade môže sa vám to nepodarí konečne v reálnom kremíka. RC časová konštanta by nemala byť menšia, aby mali dostatok času k vybitiu ESD, ale nie príliš dlho, aby neefektívne moc recykláciu v priebehu zapnutie / vypnutie a bolí PAD rozvrhnutie priestoru príliš veľa

 

[whitewiz]

Aký druh simulácie musím bežať a uvidíte, koľko času má môj LNA minúť? Ja som tak premýšľal, učebnice z RFIC (Lee) a návrhom analógových CMOS IC (Razavi) nie je zmienka o detaily a dokumenty taky. Ďakujeme Vám za Vašu odpoveď [quote = seanyang] RC rozhodol čas, kedy chcete, aby dodržiavali napätie. A posledná NMOS by mal byť veľmi veľký pre napätie, ktoré chcete prepustenie. Môžete sa rozhodnúť, veľkosť simulácie.

 

[seanyang]

Myslím, že vidíte "ESD v Silicon integrovaný obvod" kniha. Môžete si nájsť svoju odpoveď.

 

[hung_wai_ming@hotmail.com]

Skontrolujte, či pre tento MingKerDou chlapa. Je to profesionál na ESD, a myslím, že je už teraz jedným z najlepších v tejto oblasti. Publikoval rad prác a patentov a jeho dizajn je oveľa praktickejšie než u iných návrhárov a výskumných pracovníkov. Dokumenty z tohto chlap vám môže pomôcť

 

[prcken]

Ming-Dou Ker vlastne ^ ^

 

[sissi]

pokiaľ viem hodnoty rc je skúsenostné hodnotu.