radu R varactor sa líši od m = 2 a f = 2?

[walkingsun]

, Kde sa líši, od fyzických bod? Ďakujeme!

 

[Fahmy]

Ak je varactor je založený na MOSFET tranzistor potom: M = 2 je ekvivalent k opakovaniu tranzistora dvakrát, každá inštancia má svoj vlastný zdroj / kanalizácie. takže máme dva góly a štyri S / D oblastiach. F = 2 zodpovedá mať tranzistor s dvoma prstami. teda máme jeden zdroj a dva drains.So máme len 3 S / D oblastiach.

 

[walkingsun]

[Quote = Fahmy] Ak varactor je založený na MOSFET tranzistor potom: M = 2 je ekvivalent k opakovaniu tranzistora dvakrát, každá inštancia má svoj vlastný zdroj / kanalizácie. takže máme dva góly a štyri S / D oblastiach. F = 2 zodpovedá mať tranzistor s dvoma prstami. teda máme jeden zdroj a dva drains.So máme len 3 S / D oblastiach. [/quote] zo simulácie, čo zodpovedá RE varactor NMOS s M = 2 F = 1 je menšia ako u M = 1 F = 2. a ak je počet M * F je veľký rozdiel v kvalite zodpovedajúcej, je úplne zrejmé. tak by som mohol povedať, že čím viac prstov znamenajú menšiu plochu, a rozumný násobič znamená, vhodný odpor?

 

[Fahmy]

[Quote = walkingsun] zo simulácie, čo zodpovedá RE NMOS varactor s M = 2 F = 1 je menšia ako u M = 1 F = 2. a ak je počet M * F je veľký rozdiel v kvalite zodpovedajúcej, je úplne zrejmé. tak by som mohol povedať, že čím viac prstov znamenajú menšiu plochu, a rozumný násobič pomocou vhodného odporu? [/quote] samozrejme, ako sa zvyšuje počet prstov, séria odpor klesá, ale aj efektívne kapacitu na jednotku plochy klesá, takže je tradoff medzi veľkej kapacite a malé série odpor Vzhľadom k rovnakej oblasti. To actuallly závisí na aplikácii a požadované špecifikácie. Mimochodom, nedávajte M s hodnotou viac ako 1, s výnimkou, keď robíte to isté v rozvrhnutie. M znamená, že máte duplicitné inštancie zariadenia, každý sa oddelil od ostatných (nie sú zlúčené). LVS nástroje obvykle nerozlišujú medzi (M = 1, F = 2) a (M = 2, f = 1) prípady, aj keď sa dávajú rôzne výsledky, tak starať.

 

[walkingsun]

[quote = walkingsun] Samozrejme, ako je počet prstov sa zvyšuje, zníženie sériového odporu, ale tiež efektívne kapacita sa zníži na jednotku plochy, takže je to tradoff medzi veľkej kapacite a malé série odpor má rovnakú oblasti. To actuallly závisí na aplikácii a požadované špecifikácie. Mimochodom, nedávajte M s hodnotou viac ako 1, s výnimkou, keď robíte to isté v rozvrhnutie. M znamená, že máte duplicitné inštancie zariadenia, každý sa oddelil od ostatných (nie sú zlúčené). LVS nástroje obvykle nerozlišujú medzi (M = 1, F = 2) a (M = 2, f = 1) prípady, aj keď sa dávajú rôzne výsledky, tak starať.

ale zaujímavé je, o simuláciu, zistil som, že Equivalent Series RE m = 1 f = 100 a = 100 m f = 1 je veľmi veľmi rozdiel. Je to správne?

 

[Fahmy]

[Quote = walkingsun] je to správne? [/Quote] Myslím, že to je správne.