Prevažná časť NMOS viazaná na rôzne potenciálne miesto na zemi?

[fazan83]

Chlapci, čo robí väčšina mosfet znamená? Je to základ mosfet? Mám túto jednoduchú otázku zo svojho lektora, ale ja som na pochybách, na ňu odpovedať. "Môže prevažná časť NMOS viazaná na rôzne potenciálne miesto na zemi? Ak áno, prečo? Ak nie, prečo?" Ak je priemerná veľkosť NMOS NMOS základne prečo chceme ho priviazal k zemi, ako to bude vždy vypnúť. Musel som prehľadať web, ale nemohla nájsť odpoveď, ktorú potrebujem. Prosím, pomôžte ľudí.

 

[RDRyan]

Všeobecne jeden typu P a podkladu procesu. Prevažná časť NMOS musí byť pripojený k zemi, nemôže unavená iný potenciál. Iba veľkosť PMOS unavení na rôzne možnosti. Vzhľadom k tomu, PMOS sú v N-No, čo je väčšina PMOS. a N-No, sú od seba oddelené.

 

[fazan83]

[Quote = RDRyan] Všeobecne možno povedať jediné a typu P podkladu procesu. Prevažná časť NMOS musí byť pripojený k zemi, nemôže unavená iný potenciál. Iba veľkosť PMOS unavení na rôzne možnosti. Vzhľadom k tomu, PMOS sú v N-No, čo je väčšina PMOS. a N-No, sú od seba oddelené [/quote] Ale môžete mi prosím tento odkaz:. ~ http://people.equars.com/ marco/poli/phd/node20.html Základné na tento odkaz je možné pripojiť hromadne aj na ďalšie potenciálne miesto na zemi. Prečo ste hovoril, že to je časť NMOS nie je viazaná na iný potenciál ako zem? Môžete mi prosím vysvetliť, o tom viac? Nechcem naozaj pochopiť.

 

[RDRyan]

Prevažná časť NMOS sú spoločné. PMOS, ale nie sú. Ak jeden z tela NMOS je pripojí k svojmu zdroju, ktoré má potenciál vyšší ako krajiny, všetky veľkosť NMOS pripojenie k tomuto zdroju je NMOS. a zdroje ďalších NMOS sa môžu pripojiť k zemi. takže niektoré NMOS môže mať svoj PN prechod vpred biasd, ktoré nie je povolené v obvode. Ryan

 

[fazan83]

[Quote = RDRyan] časť NMOS sú spoločné. PMOS, ale nie sú. Ak jeden z tela NMOS je pripojí k svojmu zdroju, ktoré má potenciál vyšší ako krajiny, všetky veľkosť NMOS pripojenie k tomuto zdroju je NMOS. a zdroje ďalších NMOS sa môžu pripojiť k zemi. takže niektoré NMOS môže mať svoj PN prechod vpred biasd, ktoré nie je povolené v obvode. Ryan [/quote] Vďaka za vysvetlenie.

 

[lordsathish]

Predpokladám, že som jediný v mojom NMOS substrátu potom pripojenie k záporný potenciál zníži prahové napätie ... Mám pravdu ...

 

[RDRyan]

[Quote = lordsathish], že som si jedného NMOS v mojom substrátu potom pripojenie k záporný potenciál zníži prahové napätie ... Mám pravdu ...[/quote] Zdá sa, že prahové napätie zvýši.

 

[lordsathish]

Ak je záporné napätie na substráte NMOS odpudzuje elektróny, ktoré sú nosiče menšiny v podklade na kanáli ... takže kanál môže byť tvorený ľahko .... tak prahové napätie je zníženie ...

 

[deh_fuhrer]

Ak máte zviazané časť NMOS na záporný potenciál, potom ako hranica sa zvýši, ako si budú musieť uplatňovať kladné napätie na gate kompenzovať pokles P-substrátu potenciál. (Vaše vyčerpania región v kanáli a po rozšírení oblastí sa širší Potenciálni a inverzie kanál nebude formu, kým a ak použijete rovnaký potenciál k bráne, tj prah)

 

[lordsathish]

Nemohla som sa vás ... V prípade vyčerpania región zvýšenie Prečo musíme platiť viac voltege vytvoriť opak ...