Coverning MOSFET tranzistor, prvý, pri ktorom sa VGS spôsobuje pole, ktoré začína odmietnuť väčšina dopravcov na podklade. To spôsobí, že "vyčerpanie regiónu", tj vyčerpané z väčšiny dopravcov. VGS na zvýšenie viac, pole začína priťahovať menšiny dopravcovia z podkladu a od 2 n + mozgov a zdrojové oblasti. Tomu sa hovorí "inverzie". Títo dopravcovia zhromaždených počas inverzie tvorí kanál, ktorý spôsobí, že prúd v tranzistora. silnej inverzie sa vyskytuje predovšetkým prahové napätie tranzistora.
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
