Hľadáte korenie modelov vertikálnych BJTs PNP realizované v technológiách CMOS

[diemilio]

Zdravím všetkých. Hľadám korenie modelov vertikálnych BJTs PNP realizovaný v CMOS technológia sa zvyčajne používa na vytvorenie napätia odkazy. Potrebujem informácie týkajúce sa usporiadania týchto zariadení (aký veľký by mal byť?, Ako sa zápas PNP tranzistorov?, Atď) / Vďaka za pomoc, diemilio

 

[leo_o2]

Modelový príklad:. Modelu PNP PNP + Úroveň = 1 = 8.68-18 BF = 7,6906 = 0,8842 NF VAF = 254.159 + IKF = 3.60-04 ISE = 8.67-16 NE = 2,5142 = 0,8743 BR NR = 3.0 + VAR = 10,0 = 1,5 IKR ISC = 1.00-17 NC = 0,75 = 96,0067 RB IRB = 4.11-03 + MKP = 0,3168 = 1,8688 RE RC = 1,0027 = 5,172 XTI EG = 1,150 + 0,00 = CJE VJE = 0,68 = 0,5 MJE TF = 1.00-10 XTF = 1,0 VTF = 10,0 + ITF = 0,1 CJC = 0,00 = 0,7 VJC MJC = 0,5 = 0,5 XCJC FC = 0,75 + 0,00 = ČJS VJs = 0,75 = 0,5 MJS TR = 0,00 PTF = 0,00 = 0,00 KF + AF = 1,0 = 0,5 NKF CBCP = 0,00 = 0,00 CBEP CCSP = 0,00 = 0,5 + NKF Tref = 27,0 TLEV = 0 TLEVC = 0 = 1,710 XTB [size = 2] [color = # 999999] Pridané po 27 sekundách: [/color] [/size] Je HSPICE formátu

 

[diemilio]

[Quote = leo_o2] modelový príklad: Je HSPICE formáte [/quote] Vďaka za pomoc, z akého technologického procesu je, že model platí??