ako vytvoriť vysokorýchlostný CMOS analógové Comp

[andy2000a]

VCC = 3.3V ~ 12V a porovnať volt = 500mV, delaytime <5ns a vstup je pulzný signál <10ns, bez hodinového signálu na zámok, ako navrhnúť tejto vysokej rýchlosti comparate? topológiu, ktorá vyhovovala? 2_stage alebo foldcascode? Myslím, že 2. etapa je malá oblasť, ale rýchlosť je pomalá .. ďakujem

 

[andy2000a]

Mimochodom, ak by sme použiť 2 fázy OPA-> komparátor sa môžeme stretnúť meškanie <20ns .. Myslím, že 2. etapa OPA je jednoduchej konštrukcie, ako ostatné ..

 

[gevy]

Myslím si, že je potrebné použiť nasledujúce kaskády: zložený cascode, aktuálne komparátor a digitálnych meničov pripojených série.

 

[konqueror]

vo 2 rýchlostný stupeň Komparátor je menej používať regeneračný (hysterézia), komparátor. to môže dať u veľmi rýchly speeds.u môže odkazovať sa na "CMOS designu analógových obvodov" Allen & hollberg pre navrhovanie detaily komparátory s hysterézie

 

[CDRCDR]

Ja by som odporučil predzosilňovač a potom nasleduje západkou okruhu

 

[yeewong_su]

2. etapa jednoduchý operačný zosilňovač a menič vodiča výstup. LATCH obvodu pridá je to ťažké

 

[Colbhaidh]

VCC = 3V3 -> 12V! Ste si istí? To je možné v CMOS!

 

[qslazio]

jednoduchý preamp a 2 meniče splní vaše požiadavky

 

[james_su]

Nepoužívajte zámok CKT Ak nemožno uplatniť hodinový signál

 

[icsrc]

Nikdy som nevidel 12V v procese CMOS

 

[electronrancher]

Prosím ľudí - miesto je o komparátory, nie či ste osobne videl, 12V bránu. Mám proces s 5V, 16V a 30V brány, ktorý používam dosť často. Odporúčam vás ďalej. Späť k otázke Andy .... Trik je udržať (vnútorné) napätie menšie výkyvy, aby bol rýchly. Aktuálne porovnávacie štýl je v poriadku, ale svorka uzly tak, aby nemohli hojdačka VDD-GND inak to bude veľmi pomalé. Mám na mysli kaskádu 3 nízkym ziskom (10 a menej) rozdiel A (výstup do odpory), potom nízkeho napätia na vysoké napätie prekladateľ. Konečným výstupom bude meniča. Trik je v tom, čo potrebujete k jednotke, ktorá meniče brána z 0-VDD, ale výstup z posledného stupňa rozdiel je asi 0-1V. Dalo by sa použiť dva NMOS hodiť level-shift, ale ja neviem, či to bude dostatočne rýchle. Dalo by sa pravdepodobne dostanete do zosilňovača rozdiel v 2-3ns, ale riadenie, že výstup meniča môže byť pomalší, než je možné tolerovať. Kniha Li (CMOS CKT DSN, simulácie a rozloženie) má 10ns komparátor, ktorý môže pracovať pre vás, ak sa nemôžete dostať 2ns úrovni posun.