Ako sa veľkosť tranzistorov NMOS a PMOS zvýšenie prahové napätie?

[gafsos]

Ahoj, Ako sa veľkosť tranzistorov NMOS a PMOS zvýšenie prahové napätie? THX

 

[pequeniño]

prahové napätie v zariadení MOS nasledovať ďalšie výraz: V. Φms = 2 + Φf Qdep / Cox kde: Φms = rozdiel medzi pracovné funkcie polysilicon brány a kremíkovom substráte Φf = (kt / q) ln (Nsub / ňu ), kde q je náboj elektrónu, Nsub je doping koncentrácia substrátu, Qdep je poplatok v regióne a vyčerpania Cox je brána oxidu kapacitu na jednotku plochy. Pre typické rozmery tenká vrstva oxidu hodnota parametra je Cox Cox ≈ 6.9fF/um ². Takže, je potrebné uviesť vplyv zariadení rozmerov MOS v uvedených parametrov (hlavne Cox) a veľkosť správne.

 

[gevy]

Naozaj prahové napätie sa zvyšuje na dlhý kanál tranzistorov.

 

[nassim_el85]

Ahoj, ja si myslím, že najlepším riešením pre zvýšenie prahovej napätie je používanie tela účinok a zvyšujú napätie zdroja v NMOS alebo Zmenšiť v PMOS, ak to môže byť možné.

 

[nxing]

Môžete si urobiť simuláciu a zistiť vzťah, tak nájdete veľa ďalších informácií.

 

[liuyonggen_1]

Niektoré prístupy k zvýšeniu prahové napätie: 1: najjednoduchší spôsob: Spojte substrát s GND pre tranzistor NMOS a VDD pre tranzistor PMOS. 2: Zvýšenie doping úroveň substrátu. 3: Dĺžka zariadenie môže zanedbávať vypúšťací vyvolané prekážkou malý dopad na zvýšenie prahové napätie.

 

[moh_kholy83]

pre krátke kanál zariadenia znižujúce L zvýši V. opačná krátky kanál efekt zvyšuje aj ako VŠB V. zvyšuje používať veľké W

 

[Guest]

Ahoj, ja odporúčam použiť reverzné tela Bias (RBB) v tele vplyv na prahové napätie (reverzné ovplyvnenie tela-source križovatky) na zvýšenie prahové napätie, skôr než veľkosť tranzistora rozšírenie, môžete nájsť viac infromation v bacis knihách mikroelektroniky a vyhľadávanie v dokumentoch! S pozdravom, SAZ

 

[jttzeng]

[Quote = gafsos] Dobrý deň, Ako sa veľkosť tranzistorov NMOS a PMOS zvýšenie prahové napätie? THX [/quote] Milý priateľovi Do vášho vedieť, aký druh procesu (technológie), ktorú ste použili pre svoj design? Prahové napätie je obvykle závisí s prístrojom šírku a dĺžku, ale ukazuje rozdielne správanie technológií. Všeobecne vieme, shrot kanál efekt a úzka wdith od textu knihy. ale vopred technológia, zariadenie bolo navrhnuté s krátkym spätného kanálu (RSCE) a inverzné šírkou (INWE) efekt. V. sa zvyšuje s dĺžkou kratšou (RSC) a väčšiu šírku (INWE). Môžeme overiť model pre V. W / L závislosť. B / R JT

 

[rakesh1234]

prahové napätie je možné meniť zmenšiť šírku tranzistora a zvyšujú lenth tranzistora

 

[MikeR]

Veľmi zaujímavá otázka. Ale samozrejme prahové napätie je napätie brány, pri ktorej kanálom prúd kanalizácie začne postupovať. V prvom priblížení V. nezávislé na šírke a dĺžke kanálu. Existuje len jeden praktický spôsob, ako zmeniť V. - Zmena VBS (hromadné zdroj napätia). Pre väčšinu podrobná definícia si môžete prečítať manuál BSIM4.5.0 Kapitola 2. Ak je na otázku o zmene VDS na MOS pripojené v režime dióda, že je to veľmi jednoducho definovaná rovnicou: VDS = V. + sqrt (2 * Id / (K '* W / L)) Zaujímavé, na čo chcete zvýšenie V.?

 

[caplash_vlsi]

Myslím si, že zvyšovanie W alebo L zvyšuje Cox .... teraz prahové napätie je sv. , V ktorom silné inverzia kanálu prebieha ..... teda dostatočne dobije dostane nahromadenej na kanáli .... teraz sa zvýšením Cox ako Q = CV .... viac náboje sa ACC. pre daný diel. tak v skutočnosti hranice sv. klesá s rastúcou W alebo L. .... Platí to aj opačne .... a preto poskytuje vysvetlenie ur otázky.

 

[analog_guru]

"Efektívne prahové napätie", znižuje sa znižuje kanál dĺžky (za predpokladu, že neexistuje žiadny spätný kanál krátku efekt). "Efektívne prahové napätie" znižuje alebo zvyšuje v závislosti na izoláciu technológie. Myslím, že to questin spadá do kategórie tých, kde sú ich odpovede najlepšie našiel simulácií rôznych tranzistory z procesu výberu a sprisahania proti V. W a L. [size = 2] [color = # 999999] Pridané po 3 minútach: [ / color] [/size] Je mi ľúto, v mojom predchádzajúcom príspevku. Druhým bodom bolo s ohľadom na šírku tranzistora. Tu je to, čo som mal na mysli. "Efektívne prahové napätie", sa znižuje, zvyšuje alebo znižuje šírku kanála v závislosti na izoláciu technológie.

 

[kishram4u]

Ty vole ...... Itz záleží na veľkosti. mení prahové napätie s pomerom Wp / Wn.The Dôvodom je to, že čím viac mobilných elektróny v NMOSFET umožňujú NMOSFET pracovať za nižšiu než VDS PMOSFET za rovnakú IDS, teda tiahne Vout (= VIN na prahu) nízka. Prahové napätie môže byť zvýšená tým, že zväčšia šírku PMOSFET (teda Wp / WN) tak, že VDS v PMOSFET spadá. V skutočnosti, ak je pomer Wp / Wn = μn / μp = 2,7, potom sa prahové napätie VDD / 2 je dosiahnutá